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उत्पादों का विवरण

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फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर
Created with Pixso.

रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब

रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब

ब्रांड नाम: KRONZ
मॉडल नंबर: BLQ20S-G300N
MOQ: 1
कीमत: बातचीत योग्य
पैकेजिंग विवरण: Polybag packing
भुगतान की शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम
विस्तृत जानकारी
Place of Origin:
Guangdong, China
प्रमाणन:
CE
संवेदन दूरी:
30-300 मिमी
आवेदन:
औद्योगिक स्वचालन
आउटपुट:
एनपीएन
Rsidual वोल्टेज:
< 2V (ऑपरेटिंग करंट: ~ 10 ~ 100mA)
संचालन विनम्रता:
35%~ 85%आरएच
भंडारण विनम्रता:
35 ~ 95%आरएच (गैर-फ्रीजिंग, गैर-कंडेनसिंग)
आईपी रेटिंग:
IEC60529: IP64
विद्युत आपूर्ति:
डीसी 12 ~ 24v; रिपल: ± 10%
Supply Ability:
10000 pieces per month
प्रमुखता देना:

फैला प्रतिबिंबित फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर

,

रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर

उत्पाद वर्णन
रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय (NPN आउटपुट, विसरित परावर्तन)
मुख्य विनिर्देश
विशेषता मूल्य
सेंसरिंग दूरी 30-300mm
अनुप्रयोग औद्योगिक स्वचालन
आउटपुट NPN
अवशिष्ट वोल्टेज <2V (ऑपरेटिंग करंट: <10~100mA)
ऑपरेटिंग आर्द्रता 35%~85%RH
भंडारण आर्द्रता 35~95%RH (गैर-ठंड, गैर-संघनक)
IP रेटिंग IEC60529: IP64
बिजली की आपूर्ति DC 12~24V; रिपल: ±10%
उत्पाद अवलोकन

लॉन्ग-रेंज फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर 30-300mm रेंज के भीतर अपारदर्शी वस्तुओं का विश्वसनीय रूप से पता लगाने के लिए अवरक्त प्रकाश का उपयोग करता है। उच्च-गुणवत्ता वाले इन्फ्रारेड एलईडी प्रकाश स्रोत की विशेषता, यह सेंसर तेजी से सटीक पहचान प्रदान करता है <0.5ms प्रतिक्रिया समय।

CMOS लेजर विस्थापन प्रौद्योगिकी

उन अनुप्रयोगों के लिए जिनमें माइक्रोमीटर-स्तर की सटीकता, हमारे CMOS लेजर विस्थापन फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर लक्ष्य सतहों पर एक संकीर्ण लेजर बीम प्रोजेक्ट करता है। परावर्तित प्रकाश को एक CMOS छवि सेंसर द्वारा बिना किसी भौतिक संपर्क के सटीक दूरी की गणना करने के लिए कैप्चर किया जाता है - नाजुक, हिलते हुए या गर्म घटकों को मापने के लिए आदर्श।

रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 0 रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 1
तकनीकी विनिर्देश: BLQ20S-G300N (रैखिक बीम)
सफेद/काला विचलन 3%(160mm)
दूरी विचलन <3%
सेंसरिंग रेंज 30-300mm
वर्तमान खपत <3mA
तरंग दैर्ध्य लेजर (655mm)
बिजली की आपूर्ति DC 12~24V; रिपल: ±10%
प्रतिक्रिया समय <0.5ms
परिवेश तापमान ऑपरेटिंग: -25°C~+55°C; भंडारण: -40°C~+70°C (गैर-ठंड, गैर-संघनक)
IP रेटिंग IEC60529: IP64
आवास सामग्री PBT
रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 2 रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 3
औद्योगिक अनुप्रयोग

हमारे फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर कई उद्योगों में सटीक माप और पहचान के लिए आदर्श हैं, जिसमें 0.1 मिमी से 10 मिमी तक की पहचान रेंज के साथ थ्रू-बीम सेंसिंग और NPN/PNP आउटपुट विकल्प शामिल हैं।

चिकित्सा और सटीक उपकरण अनुप्रयोग
  • सिरिंज और शीशी आयाम निरीक्षण: दवा कंटेनरों की ऊंचाई और आकार को मापता है
  • माइक्रो-असेंबली सहिष्णुता नियंत्रण: छोटे यांत्रिक घटकों की समान असेंबली सुनिश्चित करता है
  • प्लास्टिक ढाला भाग निरीक्षण: चिकित्सा-ग्रेड घटकों में ताना का पता लगाता है
रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 4 रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 5 रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 6 रैखिक बीम फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर <0.5ms प्रतिक्रिया समय NPN आउटपुट प्रकार फैला प्रतिबिंब 7